摘要：本发明提出了一种内置空腔的高效率发光二极管及其制备方法，包括在衬底上用高熔点材料制作图形衬底；在图形衬底上沉积N型GaN，在图形顶端形成凹坑，凹坑直径0.2～1.2微米；通过腐蚀去除高熔点材料，形成空腔；继续生长N型GaN，将空腔上端的缺口封住；生长量子阱和P型GaN；制作透明电极，P压焊点，N压焊点。采用本发明提供的内置空腔的高效率发光二极管，可以显著提高光的抽取效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人徐瑾;张建宝;魏世桢;刘榕;王江波;
- 地址430223 湖北省武◆汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201010549103.5
- 申请时间2010年11月16日
- 申请公∩布号CN102194941A
- 申请公布时间2011年09月21日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
