摘要：本发明提出了一种内置反光镜的发光二极管及其制备方法，包括：在衬底上用高熔点材料制备一层薄膜；通过光刻，刻蚀在◆衬底上用高熔点材料制备图形；在高熔点材料形成的图形上制作GaN基发光二极管∩外延层；放入腐蚀溶液，通过侧向腐蚀去除GaN外延层下面的高熔点材料，形成反光镜；制作发光二极▃管芯片。本发明的优点在于：更多的光从正面的透明电极e出射，提高发光二々极管的抽取效率。在高熔点材料形成的图形上沉积GaN基发光二极管外延层，采用横向生长，也可以减少外↙延层的缺陷密度。整个工艺过程【比较简单，容易控制，成本低，适用于大规模的商业生产。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张建宝;郑如定;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 申请号CN201010549082.7
- 申请时间2010年11月16日
- 申㊣ 请公布号CN102194940A
- 申请公布时间2011年09月21日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
