摘要：本发明♀实施例公开了一种半导体发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。所述半导体发光器件包括：所述半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极，所述衬底内部或者衬底和发光层之间设有多个空腔。所述方法包括：在衬底上沉①积外延层；采用隐形切割技术在所述衬底内部或者ω在所述衬底和所述发光层之间形成多个空腔。本发明实施例通过在半导体发光器件的衬∴底内部或者衬底和发光层之间形成多个空腔，在芯片背面形成一种反射层，从而增加了芯片背面对于光线的反射，进而增加了芯片正面的出光。此外，本发明实施例利→用隐形切割技术制造空腔，不需要增加新设备，同时制备过程简单，工艺稳定，适合大量生产。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人宋超;刘榕;周武;
- 地址430223 湖北↙省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201210208054.8
- 申请时间2012年06月21日
- 申请公布号CN102709422A
- 申请公布∏时间2012年10月03日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;H01L21/268(2006.01)I;
