摘要：本实用新型公ㄨ开了一种正装结构的发光二极管外延片，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的Al层、AlN成核层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层内的反射层，反射层为分布式布拉格结构，分布式布拉格结构的每一周期包括AlxInyGa1-x-yN层和层叠在AlxInyGa1-x-yN层上的AlaInbGa1-a-bN层，AlxInyGa1-x-yN层和AlxInyGa1-x-yN层均♀掺杂有Si，且AlxInyGa1-x-yN层和AlaInbGa1-a-bN层掺杂的Si的量不同。本实用新型通过反射层将多量子阱层发□出的光反射回去，提高了发光效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人华灿光电股份有限ㄨ公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201320324998.1
- 申请时间2013年06月06日
- 申请公布№号CN203503684U
- 申请公布时间2014年03月26日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;
