摘要：本实用新型涉及一种图形衬底，包括基本衬底，在基本衬底的正面刻蚀形成以阵列♂形式排列的图形凸起；其特征是：所述图形凸起由多ξ 层凸起组成，每一层凸起的宽度自下而上递减，上一层凸起的底部宽度与下一层凸起的顶部宽度相同；所述图形凸起的最上一层凸起的形状为多边锥形、多边柱形、多边梯形或多边方台形。所述基本衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。所述图形凸起的材料与基本衬底的材料相同。所述图形凸起最上一层凸起的材料与基本衬底的材料不同，图形凸起最上一层∞以下的凸起材料与基本衬底的材料相同；所述图形凸起最上一层凸起的材料为SiO2、Si3N4、ZnO2、Si或GaAs。本实用新型增加了反射面，减少光在内部的多次∏反射，可以有Ψ效地提高芯片的光提取效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人许南发;黄慧诗;
- 地址214111 江苏省无锡市锡山区锡山经↙济开发区团结北√路18号
- 申请号CN201220695910.2
- 申请时间2012年12月17日
- 申请公∏布号CN203013781U
- 申请公布时」间2013年06月19日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;
