摘要：本实用新型涉及一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底，衬「底上设置N型氮化镓层，其特征是：在所述N型氮化镓层上表面设置量子阱，在量子阱上表面设置P型氮化镓层，在P型氮化镓层上表面设置第一金属膜，在第一金属膜上表面设置P电极，在P型氮化镓层上表面设置氧化铟锡薄膜，该氧化铟锡薄膜覆盖P型氮化镓层和第一金属膜；在所述N型氮化镓层上表面具有刻蚀形成的刻蚀区域，在刻蚀区域设置N电极，N电极的底部设置第二金属膜，N电极与N型氮化镓层欧姆接触。所述第一金属膜与P型氮化镓层之间非欧姆接触。所述第一金属膜和第二金属膜为铂、铑或铝。本实用新型所述提高发光效率的LED芯片结构增大了P、N两电极下方对光的反射，提高外量子效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北路18号
- 申请号CN201320652417.7
- 申请时间2013年10月22日
- 申请公布号CN203521452U
- 申请公布时间2014年04月02日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;
