摘要：种氮化镓发光二极管结构及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明的结构包括衬底和依次置于衬底之上的缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、有源发光层和P型掺杂氮化镓层。N型电极置于N型掺杂氮化镓层上表面，P型电极置于P型掺杂氮化镓层上表面。其结构特点是，所述非故意掺杂氮化镓层的上表面形成一图形化结构的结构层。同现有技术相比，本发明能有效降低氮化物外延层中的位错密度，提高氮化物发光二极管器件的发光效率，具有方法简单、成本低廉的特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人吴东海;李志翔;刘刚;
- 地址100083 北京市海淀区●清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201210300722.X
- 申请时间2012年08月23日
- 申请公布号CN103633211A
- 申请公布时间2014年03月12日
- 分类号H01L33/10(2010.01)I;
