摘要：本发明提供了一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片，该芯片为单电极结构，包含分布布拉格反射层一DBR，欧姆接触层，低热阻的散热基板，极大的提高出光效率，改善器件的散热能力；制备方◎法是：首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层，N型层，多量子阱层以及P型层，P型层图形制作，制作反射层和欧姆接触电极，散热基板的绑定层制作，散热基板与P型层的绑定，蓝宝石衬底的去除，N电极制作，对基板〗进行减薄，蒸镀金属层形成P电极，圆片测试，划片，分选。本发＠ 明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人黄辉;徐瑾;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 申请号CN201010621269.3
- 申请时间2010年12月31日
- 申请公布号CN102104233A
- 申请公〇布时间2011年06月22日
- 分类号H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;
