摘要：本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，具体而言，涉及一种通过湿法剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底来制备垂直结构发光二极管的方法。本发明方法对发光二极管外延层的损伤程度低，能完全剥离掉蓝宝石衬底。通过本发明方法制得到性能优异的垂直结构发光二极管，其发光效率高、电流分布均匀、电流拥塞改善、电流密度增大、光提取♂效率提高、散热性优异。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人徐瑾;王江波;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东◥湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201110217923.9
- 申请时间2011年08月01日
- 申请公布号CN102255013A
- 申▓请公布时间2011年11月23日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;
