摘要：本发明公开一种高效抗静电氮化镓基发光器件及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、N型氮化镓层、发光层多量子肼结构MQW、P型氮化镓层；蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，保护二极管是由两个二极管串联而成，这两个保护二极管串联可以是两个N极相连，也可以是两个P极相连；两个保护二极管串联后的另两端分别再与发光二极管的P、N电极分别连接。这样在不改变现有氮化镓基外延结构的基础上，在一个发光二极管器件中集成了：两个保护二极管和一个发光二极管，两个保护二极管串联后再与发光二极管并联，提高了产品抗静电能力、减少了后续产品封装中并联保护二极管，减少工序，降低产品成本，减少了单个保护二极管的功耗。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人郑如定;周武;刘榕;张建宝;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖开发区滨湖路8号
- 申请号CN201010181048.9
- 申请时间2010年05月19日
- 申请公布号CN101916768B
- 申请公布时间2012年10月03日
- 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;
