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                改善静电防护的发光二极管的结构

                  摘要:本实用新型涉及一种改善静电防护的发光二极管的结构,包括衬底、第一电极和第二电极,衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层,其特征是:所述N型半导体层和缓¤冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构,在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层,在第三岛状结构上的P型ω半导体层上设置透明导电层;在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层,第一电极穿过钝化层与透明导电层和第◣二岛状结构中的N型半导体层连接,第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构↘上的P型半导体层连接。本实用新型有效的提高了静电防护,减少静电带来的损伤,延长了LED芯片使用寿命。
                • 专利类型实用新型
                • 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
                • 发明人张淋;杜高云;邓群雄;
                • 地址214111 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区ξ团结北路18号
                • 申请号CN201220523810.1
                • 申请时间2012年10月13日
                • 申请公布号CN202871793U
                • 申请公布时间2013年04月10日
                • 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;