摘要：本发明公开了一种多量子阱TFT-LED阵列显示基板及其制造方法。采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色多量子阱发光单元共同集成实现白色发光和控制，并与彩膜技术配合来实现TFT-LED的彩色阵列显︼示。其特征包括：在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构的缓冲层及n型GaN层，并在n型GaN层上通过MOCVD工艺和制备红、绿、蓝三基色多量子阱发光层构成白色发光区、p型GaN层及透明电极层，将包含三基色多量子阱发光层、p型GaN层及透明电极层分∞隔成显示阵列。在每个隔离出来的发光阵列单元上通过集成两个TFT与一个电容器作为该发光单元的控制电路，在基板◥表面覆盖红绿蓝三基色彩膜层，以实现彩色的显示。本发明能一定程度上克服现有LED和LCD显示的不足，大幅⌒提高显示质量和显示效果，且制造方法与现有的半导体工艺相兼容，易于实现产√业化。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人邓朝勇;杨利忠;雷远清;杨小平;胡绍璐;
- 地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201110367504.3
- 申请时间2011年11月18日
- 申请公布号CN102427080A
- 申请公★布时间2012年04月25日
- 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;
