摘要：本实用▲新型公开了一种阵列式真彩发光二极管芯片，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及缓冲层之间︼设有与n型层引线对应的隔离层Ⅰ；在RGB发光层的〓顶面上设有p型层，在p型层的顶面上设有透明电机层，在透明电机层的顶面上设有p型层引线，在p型层与透明◢电机层之间设有与p型层引线位置对应的隔离层Ⅱ，在隔离层Ⅱ的顶面设有覆盖々了透明电极层，但是露∞出了p型层引线的钝化保护层。本实用新☉型所制作得到的产品在整体可实现真彩发光、一定◥发光区域组合方式下实现白光或单色光发射。
- 专利类型实用新型
- 申请人贵州大学;
- 发明人邓朝勇;李绪诚;王新;张安邦;杨利忠;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科学技术▓处
- 申请号CN201220093411.6
- 申请时间2012年03月14日
- 申请公布号CN202523712U
- 申请公布时∩间2012年11月07日
- 分类号H01L27/15(2006.01)I;
