摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体领域。所述高压发光二极管芯片包括基板、外延层和透明导电层。在外延层上设置至少一条隔离槽『，每条隔离槽包括第一和二隔离槽，第一和二隔离槽均从外延层延伸至基板，第二隔离槽的宽度小于第一隔离槽，第一隔离槽的宽度为20-40μm，第二隔离槽的宽度为5-10μm，第一隔离槽内设有绝缘层，电气连接结构铺设在第一隔离槽内的绝缘层之上，且电气连接结构将相邻的两个子芯片连接。本实用新◥型通过第一隔离槽设计较宽，方便绝缘层和电气连接结构铺设，第二隔离槽较窄，占用芯片发光区面积ぷ较少，从而使芯片发光≡区面积最大化，提升芯片光效，高压芯片的子芯片∩越多，本实〇用新型越有效果。
- 专利类型实用新型
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人谢鹏;尹灵峰;程素芬;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201420842450.0
- 申请时间2014年12月25日
- 申请公布号CN204315574U
- 申请公▽布时间2015年05月06日
- 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I;
