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                可控功率倒装阵列LED芯片及其制造方法

                  摘要:本发明公开了一种可控功率倒装阵列LED芯片及其制造方法。可控功率倒装阵列LED芯片为:阵列LED芯片由多个阵列单元构成⌒阵列,其中所有的阵列单元每一行的p电极层(10)连接,每一列的n电极层(5)连接;所述阵列「单元是蓝宝石衬底(2)上方依次覆盖n型缓冲层(3)、n型半导体层(6)、有源层(7)、p型半导体层(8)、透明电极层(9)、p电极层(10);所有的n电极层(5)和p电极层(10)由绝缘层(4)包覆;其中每一行的p电极层(10)通过p电极层(10)窗口上∞方的p电极连接金属层(11)连接;在p电极连接金属层(11)表面还有』钝化层(12)。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人贵州大学;
                • 发明人邓朝勇;杨利忠;李绪诚;张荣芬;许铖;
                • 地址550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
                • 申请号CN201110214740.1
                • 申请时间2011年07月29日
                • 申请※公布号CN102244087A
                • 申请公布时间2011年11月16日
                • 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;