摘要：本发明公开了一种TFT-LED彩色★阵列显示基板及其制造方法，采用半导体集成工艺，将双TFT、三基色的发光单元共同集成在同一块基片上，以实现TFT-LED的阵列显示。在大面积单晶衬底上沉积出同样具有完整结构ζ 的缓冲层及n型GaN层，并在n型GaN层上通过MOCVD工艺和其他薄膜制备工艺，并与光刻和刻蚀工艺相结合，分别在不同的发光区域制备对应的红、绿、蓝LED发光层、p型GaN层及透◇明电极层，将不同颜色发光层、p型GaN层及透明电极层分隔成显示阵列单元。在每个隔离出来的发光阵列单元上通过集成两个TFT与一个电容器作为该发光单元的控制电路。本发明能一定程◤度上克服现有LED和LCD显示的不足，大幅提高显示质量和显示效果，且制造方□法与现有的半导体工艺相兼容，易于实现产业化。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人邓朝勇;杨利忠;杨小平;胡绍璐;雷远清;
- 地址550003 贵州省贵阳市蔡家关贵州大学科技处
- 申请号CN201110367855.4
- 申请时间2011年11月18日
- 申请公布号CN102394240A
- 申请公布时间2012年03月28日
- 分类号H01L27/15(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;
