摘要：本发明涉及了一种垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法，本发明垂直结构发光二极管芯片是通过在P-GAN的欧姆接触层上邦定金属支撑层，机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底，在蓝宝石上激光划槽并通过磷酸+硫酸溶液腐蚀划道，露出N-GAN层，淀积N电极金属，最后切割晶圆得到LED芯片，这样通过邦定金属支撑层-机械研磨-激光划槽-混酸腐蚀的综合方法制造的芯片为垂直结构，其具有热阻低、光取出效率高，制造过程利用现有生产设备、生产可操控性强，降低了生产成本，提高了产品良率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人周武;郑如定;刘榕;张建宝;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN200910272579.6
- 申请时间2009年10月30日
- 申请公布号CN101847675B
- 申请公布时间2012年01月25日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I;
