摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该GaN基发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，多个GaN垒层中的最靠近P型AlGaN层的GaN垒层包括u型GaN垒和P型GaN垒，P型AlGaN层覆盖在P型GaN垒上。上述外延片使得注入多量子阱有源层中的空穴增多，在大电流√密度下，注入多量子阱有源层中的电子变多，所以大大提高了电子★和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，同时使得ξ越过多量子阱有源层逃逸到P型GaN载流子层的电子数量明显减少，电子溢漏的程度减小，进一步ζ 提高了大电流密度下LED的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;董彬忠;付杰;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510599590.9
- 申请时间2015年09月18日
- 申请公布号CN105206717A
- 申请公布▓时间2015年12月30日
- 分类号H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
