摘要：本发明公开了一种湿法腐蚀与干法刻蚀相结合图形化蓝宝石衬底的方法。该方法具体步骤如下：在蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅膜；利用光刻技术在所述的二氧化硅膜上制备出带图形的光刻胶掩膜；将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形化的二氧化硅膜为掩膜，采用湿法腐蚀结合短时间干法刻蚀的方法，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；湿法腐蚀去掉二氧ξ 化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形化蓝宝石衬底的〓制备。该方法采︽用将湿法腐蚀与干法刻蚀相结合，并通过优化相关的工艺参数，既保证了刻蚀速∏率，又能降低刻蚀成本，同时还能获得较好的图形精度，达到良好的㊣ 刻蚀效果。该图形化的蓝宝石衬底可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张建宝;顾小云;
- 地址430223 湖北省武汉市光谷滨湖路8号
- 申请号CN201110078480.X
- 申请时间2011年03月30日
- 申〓请公布号CN102184842B
- 申请№公布时间2012年11月07日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;
