摘要：本发明所揭露的是用于经由液相方法于低温(<400℃)制造金属氧化物薄膜以及衍生自纳米材料的金属复合物薄膜的新方法。本发明薄膜可使用为薄膜半导体、薄膜介电质或薄膜导体，且可实施于半导体装置，如：薄膜晶体管以及薄膜光电伏打装置。
- 专利类型PCT发明
- 申请人西北大学;破立纪元有限公司;
- 发明人A·菲奇提;T·J·马克斯;M·G·卡纳⊙齐迪斯;金明吉;W·C·希茨;颜河;夏禹;
- 地址美国＠伊利诺伊州
- 申请号CN201280006718.0
- 申请时间2012年01月27日
- 申请公布号CN103828018A
- 申请公布时々间2014年05月28日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;
