摘要：本发明公开一种用纳米棒制备的图形化衬底的方法，该方法在衬底上制备一层薄膜，该薄膜结构可以是纳米棒构成的薄膜，或分布布「拉格反射层，或者分布布拉格反射层加上纳米棒薄膜。其中分布布拉格反射层是纳米棒波膜和其它介质材料交替构成的；在薄膜上制备用于刻蚀的掩模；通过干法刻蚀，将掩模图形转移到薄膜上，使纳米棒的外形呈半球体，圆锥体或圆台形；去除残留的光刻胶。本发明的优点在于：纳米棒形成的半球形图形化衬底的反射率，比常用的蓝宝石图形化衬底高，特别是对于斜角入射的光，反射率更高，这样有☆利于进一步提高衬底上发光二极管的光抽取效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人徐瑾;王江波;刘榕;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201110258726.1
- 申请时间2011年09月02日
- 申请公布号CN102315097A
- 申请公布时间2012年01月11日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
