摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管芯片，属于半导体照明技术领域。该芯片包括：衬底层、依次层叠在衬底层上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，芯片上设有凹槽，凹槽从透明导电ζ 层延伸至第一半导体层，凹槽内设有用于将芯片分割成多个子芯片的隔离槽，隔离槽从第一半导体层延伸至衬底层，芯片上还设有第一电极、第二电极和电气连接结构，第一电极设于透明导电层上，第二电极设于凹槽的第一半导体层上，电气连接结构将一个子芯片的透明导电层⊙与另一个子芯片的第一半导体层连接，凹槽的侧壁与第一半导体层的顶面之间的锐角为15～45度，隔离←槽的侧壁与衬底层的顶面之间的锐角为40～60度。本实用新型通过上述方案增强了芯片可靠性。
- 专利类型实用新型
- 申请人华灿Ψ 光电股份有限公司;
- 发明人程素芬;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201220399415.7
- 申请时间2012年08月13日
- 申请公布号CN202736964U
- 申请公↓布时间2013年02月13日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;
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