摘要：本发明公开〇了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱⊙发光层、p型层，不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个孔洞中沉积有荧光粉，且每〒个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本☆发明通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞，n型层位于不掺杂的GaN层上，减小了GaN层与n型层的晶格不匹配〓的差异，降低了n型层中的缺陷密度，有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响，提高了发光二极管的内量子效率和亮度；且孔洞中设有荧光粉，增加了发光二极管的外量子效率，提高了发光╱二极管亮度。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人张建宝;刘权;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201310040746.0
- 申请时间2013年02月01日
- 申请公→布号CN103117346A
- 申请公布时间2013年05月22日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;
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京公网♀安备11010802043465号
