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                教〓育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN103441197B
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延》片包括衬底、以及在衬底上依次生长的GaN成核层、不掺杂的GaN层、n型层、多◢量子阱层以及p型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期包括InGaN层和GaN层，多周期结构之ζ与n型层接触的周期为第一周期，第一周期的GaN层δ掺杂有Si，且第一周期的GaN层的Si掺杂在远离第一相邻层的位置，第一相邻层为与第一周期的GaN层接触的InGaN层。本发明通过上述方案，可以降低多量子▓阱层中的位错，屏蔽极化电场的影响，提高晶体质量，Si不会扩※散到InGaN层中，可避免在多量子阱层中形成点缺陷，使得▅电子和空穴的复合效率高，发光效率高。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人华灿光电股份有限公司;
                  • 
                        
                • 发明人吴克敏;魏世祯;
                  • 
                        
                • 地址430223 湖北①省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
                  • 
                        
                • 申请号CN201310329712.3
                  • 
                        
                • 申请时间2013年07月31日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN103441197B
                  • 
                        
                • 申请公布时ζ　间2016年02月03日
                  • 
                        
                • 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
                  •