摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底、在衬底上依次向上生长的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个量子阱层，量子垒层与量子阱层相互交替生长，外延片还包括设于多量子阱层和p型层之间〖的空穴注入层，空穴注入层的禁带宽◎度大于多量子阱层中最靠近空穴注入层的量子阱层的禁带宽度。本发明通过设置空穴注入层，在多量子阱层和p型层之间形成一个势阱，该势阱能够聚集从p型层注入到多量子阱层的空穴，然后在外加电压的作用下，将聚集的空穴注▼入到多量子阱层，从而提高了空穴的注入效率，促进了电子和空穴的辐射复合效率，提高了外延片的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人王明军;魏世祯;胡加辉;
- 地址430223 湖北◣省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201310188694.1
- 申请时间2013年05月21日
- 申请公布号CN103311389A
- 申请公布时间2013年09月18日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
