摘要：具有非对称垒层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型结构从下至Ψ上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层，有源区包括阱层和垒层，所述有源区的生长周期数为3m个周期，有源区包◢括三个部分，每个部分生长m个周期，垒层由AlxGa1-xN层、AlyIn1-yN层和InzGa1-zN层组成，其中，1≤m≤5。同现有技术相比，本实用新型能减缓溢流现象和降低能带的弯曲，提高内量子效率，从而有效提高∞出光效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司;
- 发明人田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞;
- 地址100083 北京市海淀区清华◆同方科技广场A座29层
- 申请号CN201320369872.6
- 申请时间2013年06月26日
- 申请公布号CN203445142U
- 申请※公布时间2014年02月19日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;
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