摘要：本发明公开了一种具有高发光效率量子垒的外延片及其制备→方法，属于』发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所▓述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括∮交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少〓一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。本发明中，最靠近N型GaN层的至少一个InGaN阱层中空穴浓度大幅增加，而在大电流密度下，注入多量子阱有源々层中的电子是随之增多的，所以可以大大提高电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，使得电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发◥光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510599118.5
- 申请时间2015年09月18日
- 申请公布号CN105140357A
- 申请公布时间2015年12月09日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
