摘要：本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法，属于发光二极管领域№。该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层；在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层；其中，所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，包括：在反应腔内温度为950℃，反☉应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生』长间隙通入CP2Mg源。本发明提供的方法使得注入多量子阱有源层中的空穴明显增加，可以大大︽提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，由于复合效率的提高，使电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510599117.0
- 申请时间2015年09月18日
- 申请公布号CN105280768A
- 申请公№布时间2016年01月27日
- 分类号H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;
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