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                教育装备采购网首页♂ > 知识产权 > 专利 > CN105679907A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                高亮度发光二极管外延片及其制备方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高亮度发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN层，所述N型GaN层包括依次覆盖在所述u型GaN层上的第一N型GaN子层、第二N型GaN子层和第三N型GaN子层，本发明中第↓二N型GaN子层采用多个◢生长周期生长而成，且每个生长∞周期中，先生长一定厚度的GaN，然后再向GaN中通入Si源进☉行掺杂，这种方式生长出的第二N型GaN子层◥的载流子浓度较高，因而横向电阻较小，另外发光二极管外延片的台▓阶面位于第二N型GaN子层上，所以电流由N电极传输下来时横向扩展∩较为容易，大大提高发光二极管的亮度。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人华灿光电股份有限公司;
                  • 
                        
                • 发明人孙玉芹;王江波;
                  • 
                        
                • 地址430223 湖北省武汉市东★湖新技术开发区滨湖路8号
                  • 
                        
                • 申请号CN201610123884.9
                  • 
                        
                • 申请时间2016年03月04日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN105679907A
                  • 
                        
                • 申ζ请公布时间2016年06月15日
                  • 
                        
                • 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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