摘要：本发明公开了一种新型发光二极管外延片及其制备方法，属于发光↓二极管领域。该新型发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述GaN垒层包括依次覆盖在所述InGaN阱层上的第一GaN子层、第二GaN子层和第三GaN子层，所述第二GaN子层为生长过程中采用铟源进行表面处理的GaN子层。采用铟源处理生长的GaN相比于普通▂的GaN的晶格失配减小，同时垒结构的↘能带高度降低，使得注入多量子阱有源层中々的空穴浓度「明显增加，所以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人孙玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510926979.X
- 申请时间2015年12月14日
- 申请公布号CN105405947A
- 申请公布时间2016年03月16日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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京公网安备11010802043465号
