摘要：本发明提供一种SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法，SiC衬底GaN基紫外LED外延片包括自下而上设置的n型SiC衬底、缓冲层、导电的布拉格反射镜层(DBR)、n-AlxGa1-xN层、紫外发光多量子阱层和p-GaN层，所述X选自0-1，n型SiC衬底厚度小于等于100微米。本发明还公开了一种采用所述SiC衬底GaN基紫外LED外延片制备而成的器件。本发明所述外延片和器件利用导电的布拉格反射镜层将量子阱向衬△底方向发射的光反射回表面方向，同时利用其导电特性，在解决SiC材料对紫外光々吸收同时，也实现了外延片和◥器件的垂直电流输运、高光提◥取效率及高散热能力。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;大连理工大学;
- 发明人蒋建华;梁红伟;夏晓川;黄慧诗;闫晓密;
- 地址214000 江苏省无锡市锡山经济开发区团结『北路18号
- 申请号CN201510274602.0
- 申请时间2015年05月26日
- 申请公布＠ 号CN104979446A
- 申请公布时间2015年10月14日
- 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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