摘要：本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效⊙率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发◢光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上▓生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层∩内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型结构紧凑，能显著提高●发光效率，工艺方便，安全可靠。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人郭文平;钟玉煌;姜红苓;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区ζ团结北路18号
- 申请号CN201420021683.4
- 申请时间2014年01月14日
- 申请公布号CN203800070U
- 申ζ 请公布时间2014年08月27日
- 分类号H01L33/14(2010.01)I;
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