摘要：本实用新型涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别蒸镀形成漏极金属层、源极金属层和栅极金属层；在所述右芯片的栅极金属层上生长氢气隔离ㄨ层，氢气隔离〓层覆盖栅极金属层的上表面和侧面。本实用新型利用二维电子气载流子浓度受纵向电压影响的々原理，栅极金属层在不ξ 同氢气浓度的电离下产生不同的肖特基☉势垒，肖特基势垒作用于二维电子气的第三维方向，使电子气载◇流子发生变化；不同浓度氢气产生不同肖特基势垒，测得⌒不同电子气电流，从而测试出氢气浓度。
- 专利类型实用新型
- 申请人江∩苏新广联科技股份有限公司;
- 发明人邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗;
- 地址214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区团结北★路18号
- 申请号CN201320754832.3
- 申请时间2013年11月25日
- 申请公布号CN203800048U
- 申请公布∞时间2014年08月27日
- 分类号H01L27/04(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;
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