摘要：本发明公开了一种№多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导╱体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)和P+型半导体区域(3)，P+型半导体区域(3)将N型半导体区域(2)分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P+半导体区域(41)、第二P+半导体区域(4-2)，以及第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)、第三N+半导体区域(5-3)；构成▲多沟道N-JFET和PNP晶体管复合结构。本发明将电源正极接到器件正极，电源负极接☉到器件负极(也可以通过负载接到负极)，可以在Ψ一个基本回路中实现的恒电流特性。恒电流值的大小可以通过N-JFET的沟道数量或PNP的电流增益的设计实现，该结构可达到20mA～100mA系列的输出恒定电流。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人刘桥;
- 地址550003贵州省贵阳市蔡家关
- 申请号CN200910308121.1
- 申请时间2009年10月09日
- 申请公◣布号CN101667575A
- 申请公布时间2010年03月10日
- 分类号H01L27/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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京公网安备11010802043465号
