半导体发光二极管的外延片及其制造方法

　　摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管的外延片，涉及半导体技术领域。该外延№片包括衬底和依次在衬底上生长的低温缓冲层、高■温缓冲层、复合N型层、复合多量子▽阱层和复合P型层。该复合多量子阱层包括第一多量子阱层︻和在第一多量子阱层上生长的第二多量子阱层。该第一多量子卐阱层为多周期结构，每一周期包括势阱层和在势阱层上生长的势垒层，该第一多量子阱层每一▂周期的势垒层分别掺杂有Si。本发明外延片第一多量子阱层的势垒层掺杂的Si可以抑制势垒层的表面形成螺旋岛状结构，因此势垒层的↘表面特性好，晶体质量得到提高。本发明∑同时公开了一种制造半导体发光二极管外延片的方法。

专利类型发明专利
申请人华灿光电股份有限公司;
发明人吴克敏;魏世祯;
地址430223 湖北←省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
申请号CN201310280553.2
申请时间2013年07月05日
申请公布号CN103337573A
申请公布时间2013年10月02日
分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;