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                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN105977355A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种发光二极管外延片及其制备方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层⌒　和P型GaN层，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN量子☆阱层和GaN量子垒层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型GaN层上的N型接触层，所述N型接触层为掺杂Si的GaN层。本发明通过在P型GaN层上层叠N型接触层，N型接触层为掺杂Si的GaN层，降低电阻而◣增大导电率，有利于设●置在N型接触层上的P型电极¤注入电流的横向扩展，特别适用于背光上。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人华灿光电股份有限公司;
                  • 
                        
                • 发明人孙玉芹;董彬忠;王江波;
                  • 
                        
                • 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
                  • 
                        
                • 申请号CN201610302023.7
                  • 
                        
                • 申请时间2016年05月09日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN105977355A
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                • 申请公布时间2016年09月28日
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                • 分类号H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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