大发彩

  • <tr id='L1i7Kg'><strong id='L1i7Kg'></strong><small id='L1i7Kg'></small><button id='L1i7Kg'></button><li id='L1i7Kg'><noscript id='L1i7Kg'><big id='L1i7Kg'></big><dt id='L1i7Kg'></dt></noscript></li></tr><ol id='L1i7Kg'><option id='L1i7Kg'><table id='L1i7Kg'><blockquote id='L1i7Kg'><tbody id='L1i7Kg'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='L1i7Kg'></u><kbd id='L1i7Kg'><kbd id='L1i7Kg'></kbd></kbd>
    <code id='L1i7Kg'><strong id='L1i7Kg'></strong></code>
    <fieldset id='L1i7Kg'></fieldset>
          <span id='L1i7Kg'></span>
              <ins id='L1i7Kg'></ins>
              <acronym id='L1i7Kg'><em id='L1i7Kg'></em><td id='L1i7Kg'><div id='L1i7Kg'></div></td></acronym><address id='L1i7Kg'><big id='L1i7Kg'><big id='L1i7Kg'></big><legend id='L1i7Kg'></legend></big></address>
              <i id='L1i7Kg'><div id='L1i7Kg'><ins id='L1i7Kg'></ins></div></i>
              <i id='L1i7Kg'></i>
              2. <dl id='L1i7Kg'></dl>
                3. <blockquote id='L1i7Kg'><q id='L1i7Kg'><noscript id='L1i7Kg'></noscript><dt id='L1i7Kg'></dt></q></blockquote><noframes id='L1i7Kg'><i id='L1i7Kg'></i>
                
    
                
        
                
             		
              1. 首页
                2. 
		
              2. 装备资讯
                3. 
		
              3. 热点专题
                4. 
		
              4. 人物访谈
                5. 
		
              5. 政府采购
                6. 
		
              6. 产品库
                7. 
		
              7. 求购库
                8. 
		
              8. 企业库
                9. 
        
              9. 品牌排行
                10. 
        
              10. 院校库
                11. 
		
              11. 案例·技术
                12. 
		
              12. 会展信息
                13. 

            
                
        
                
    
                
    
                
        
                
            
            
                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN103035805A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种发光二「极管外延片及其制备方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于二极管技术领域。所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在衬底层上的缓冲层、非掺杂的GaN层、N型接触层、N型扩展层、多量子阱层和P型层；N型扩展层是由若干第一子层和若干第二子层交替形成的超晶格结构；第←一子层采用N型掺杂的AlxGa1-xN作为生长材料，0
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人华灿光电股份有限公司;
                  • 
                        
                • 发明人万林;魏世祯;
                  • 
                        
                • 地址430223 湖北【省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
                  • 
                        
                • 申请号CN201210540920.3
                  • 
                        
                • 申请时间2012年12月12日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN103035805A
                  • 
                        
                • 申↓请公布时间2013年04月10日
                  • 
                        
                • 分类号H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
                  •