摘要：一种氮化镓发光二极管结构，涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底和依次置于衬底之上的缓冲ζ层、非故意掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、有源发●光层和P型掺杂氮化镓层。N型电极置于N型掺杂氮〓化镓层上表面，P型电极置于P型掺杂氮化镓层上表面。其结构特点是，所述非故意掺杂氮化镓层的上表面形成一图形化结构的结构层。同现有技术相比，本实用新型能有效降低氮化物外延层中的位错密度，提高氮化物发光二极管器件的发光效率，具有成本低廉的特点。
- 专利类型实用新型
- 申请人南通同方半导体有限〒公司;同方股份有限公司;
- 发明人吴东海;李志翔;刘刚;
- 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
- 申请号CN201220418921.6
- 申请时间2012年08月23日
- 申请公布号CN202797053U
- 申请公布时间2013年03月13日
- 分类号H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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