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                教育装备采购「网首页 > 知识产权 > 专利 > CN203134851U
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种能提高光取出效率的发光二极管
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：一种能提高光取出效率的发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。N型半导体层上▼的一端设置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。衬底和N型半导体层的接触面上留有脉冲激光切割形成的烧结面。其结构特点是，所述烧结面的切割线为间断式切割线。本实用新型有效减小了ぷ激光切割产生的侧壁烧结面清、降低了清洁，能提◥高侧壁光取出效率。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型实用新型
                  • 
                        
                • 申请人南通同方半导体有限公司;同方股份←有限公司;
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                • 发明人庄曜玮;
                  • 
                        
                • 地址100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层
                  • 
                        
                • 申请号CN201320103313.0
                  • 
                        
                • 申请时间2013年03月07日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN203134851U
                  • 
                        
                • 申请公≡布时间2013年08月14日
                  • 
                        
                • 分类号H01L33/20(2010.01)I;
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