摘要：本发明公开了一㊣ 种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，针对氧化、低压化学气相沉积或低温退火的〖不同工艺，根据降舟前温度的高低，调整晶舟的降舟速度；同时，根据不同工艺对氧含量【要求的不同，调节冷却风速，将氮气流量控制在高低不同的范围，在降舟过程及承载区域对晶圆进行充分冷却后取片。本发明通过对晶圆预冷温度、降舟速度、氮气流量、冷却风速等冷却控制参数进行优化组合使用，在控制氧含量达标的同时，实现对工艺降舟阶段晶圆冷▆却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，控制及缩短冷却时间，从而增加晶①圆产能，并明显节约作为冷却介质的氮气资源。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人林伟华;王兵;兰天;宋辰龙;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410043195.8
- 申请时间2014年01月29日
- 申请公布号CN103745920A
- 申请※公布时间2014年04月23日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;
