摘要：本发明公开了一种AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：在衬底上，制备有机微球模板，有机微球模板包括纳米微球模板；在有∑机微球模板上，沉积AlN缓冲层；将AlN缓冲层进行高温退火处理，去除有机球模板中的有机微球，形成具有多孔结构的AlN缓冲层。本发明通过有机微球模板在AlN缓冲层中引入多↑孔结构，既可以减少外延缺陷，提高外延质量，又增加与衬底々之间巨大的折射率反差来提高光在衬底界面处的反射能力，增强出光效Ψ率，并且将微球模板与物理气相沉积结合，以制备具有多孔结构的AlN缓冲层，方法简单▓易行，便于大规模生产。
- 专利类型发明专利
- 申请人华灿光电股份有限公司;
- 发明人吴志浩;
- 地址430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
- 申请号CN201510051801.5
- 申请时间2015年01月31日
- 申←请公布号CN104701137A
- 申请公布时间2015年06月10日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
