摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚与气体流量的建模方法，包括在基础工艺条件下获取测试硅片的基准膜厚；进行多组膜厚调节实验获得不同实验条件下测试硅片的膜厚，其中每组实验的实验条件为仅改变基础工艺条件的工艺气体流量；以及根据得到的多个∩测试硅片的膜厚相对于基准膜厚的多个膜厚变化值，以及多个测试硅片的膜厚所对应的气体流量相对于基础工艺条件的气体流量的多个流量变化值，计算得到线性的膜厚流量变化关系模型。本发明还提供了一种膜厚在线优化方法，根据膜厚流量变化关系卐模型、针对该关系模型设定的限制条件以及目标膜厚与基准膜厚的差值，计算气体流量的最优变化量。本发明可提高调试效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410730097.1
- 申请时间2014年12月04日
- 申请公布号CN104451608A
- 申请公布时间2015年03月25日
- 分类号C23C16/52(2006.01)I;
