摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法，包括进行基准实验以获取基准膜厚；仅改变基准→实验的工艺气体流量进行多组测试实验以获取测试硅片的膜厚；以相对于基准实验气体流量的流量变化值以及该流量变化值造成的相对于基准膜厚的膜厚变化值为变量建立目标函数，并确定该目标函数的约束条件为膜厚☆变化值与流量变化值呈线性关系；根据多组测试实验结果及约束条件计算目标函数的值最小时的最优流量变化值；以最优流︼量变化值调节基准流量作为最优气体流量并获取测试硅片的最优膜厚；以及判↓断最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值大于预定值时以最优气体流量作为基准实验的工艺气体流量，并重复上述步骤。本发明可提高膜厚调节效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有卐限公司;
- 发明人林伟华;翟立君;王艾;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410730080.6
- 申请时间2014年12月04日
- 申请公布号CN104404479A
- 申请公布时间2015年03月11日
- 分类号C23C16/52(2006.01)I;
