摘要：本发明公开了一种应用于CVD成膜工艺的膜厚与气体流量的建模方法，包括在基础工艺条件下获取∑测试硅片的基准膜厚；进行多组可信的实验获得不同实验条件下测试硅片的膜厚，其中每组实验的实验条件为仅改变基础工艺条件的工艺气体流量；以及根据多组可信的实验所得到的多个测试硅片的膜厚相对于基准膜厚的多个膜厚变化值，以及多个测试硅片的膜厚所对应的气体流量相对于基础工艺条件的气体流量的多个流量变化值计算得到膜厚流量变化关系模型。本发明↓还提供了一种膜厚调节方法，根据膜厚流量变化关系模型调节工艺气体的流量以实现目标膜厚，缩短了机台的调试时间，提高了调试效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京▽七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410174251.1
- 申请时间2014年04月28日
- 申请公◇布号CN103924223A
- 申请公布时间2014年07月16日
- 分类号C23C16/52(2006.01)I;
