摘要：本发明提供了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体管道、液体管道以及气液两相雾化喷嘴，气体管道和液体管道的一端设置在摆臂上，其另一端连通气液两相雾化喷嘴以形成雾化颗㊣ 粒，摆臂带动气液两相雾化喷嘴在晶片边缘与晶片中心之间做圆↑弧往复运动。本发明通过气液两相雾化喷嘴结构，使高速液体流与高速气体流充分的相互作用，并通过调整气体流速和小流量液体流速，形成颗粒尺寸均一的超微雾化液滴，经过高速气体流加速以○后，喷射在晶片表面，完成清洗，本发明促进了沟槽【中杂质向流体主体的传递，提高清洗的效率，改善「清洗效果，由于雾※化颗粒的质量小，减少了对晶片表面图形结构的损伤。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电》子股份有限公司;
- 发明人滕宇;吴仪;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201510261375.8
- 申请时间2015年05月21日
- 申请公布╲号CN104841660A
- 申请公布时①间2015年08月19日
- 分类号B08B3/02(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I;
