摘要：本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种用于快〗速降温的炉体，在所述炉体的保温层内设有分别沿所述炉体轴向和周向延伸的纵向风道和横向风道，所述炉体〖底部的保温块上设有环形凹槽状的进风环，所述进风环上设有↑进风口，所述纵向风道连通所述进风口；所述横向风道的一端连通所述纵向风道，另一端连通∞所述炉体的炉膛，所述炉膛与所述出风口连通。通☆过纵向风道和横向风道可以获得较快的降温速率，使※得工艺时间变短，保证了片子成膜的质量，降低▆了生产成本。
- 专利类型实用新型
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人孙少东;周厉颖;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥╲东路1号
- 申请号CN201520045246.0
- 申请时间2015年01月22日
- 申请公布①号CN204474712U
- 申请公布时间2015年07月15日
- 分类号C21D1/00(2006.01)I;
