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                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN105552021A
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种基于电荷精确分布的T-TSV的MOS电容量化方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种基于电荷精确分布的锥形硅通孔的MOS电容量化方法。获取锥形硅通孔的结构参数，基于电荷精确分布的函数，推出锥形环面电势?满足的微分方程，设定边界值，解析计算不同下的氧化层外表面处的电场强度与电势；利用与量化偏置电压，并计算阈值电压及氧化层外表面处电势为2倍掺杂硅的功函数时的电场强度；推导出氧化层电容关于结构参数的量化公式，及低频交流小信号与高频交流小信号下的耗尽层电容关于与的量化公式；将氧化层电容与耗尽层电容串联，即可量化锥形硅通孔的MOS电容，画出两种交流小信号情形下MOS电容随偏置电压变化的曲线，已知偏置电压，即可获取相应的MOS电容值。对于锥形硅通孔的MOS电容的精确计算具有重要的指导意义。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人华北电力大学;
                  • 
                        
                • 发明人李守荣;周秋;
                  • 
                        
                • 地址102206 北京市昌平区华北电力大学
                  • 
                        
                • 申请号CN201610028496.2
                  • 
                        
                • 申请时间2016年01月18日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN105552021A
                  • 
                        
                • 申请公布时间2016年05月04日
                  • 
                        
                • 分类号H01L21/768(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;
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