摘要：本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法，包括：（a）在基片第一表面上加工制得〖第一盲孔；（b）在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层；（c）在第二表面上套刻加工制得第二盲孔，且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层；（d）在第二表面上淀积绝缘层和阻挡层；（e）在第二表面的阻挡层上平铺贴合干膜并执行曝光显影；（f）以干膜作为掩膜，对绝缘层和阻〗挡层执行刻蚀处理仅保留下种子层；（g）执行填充操作♂。本发明中还公开了相●应的通孔互联结构产品。通过本发明，能够以便于操控、高效率╳的方式执行填充过程，并获得填充效果好的产品，同时可以突破现有成膜技术的瓶颈，拓宽其应用范围，并尤其适于满足超高深宽比的场合。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人廖广兰;史铁林;薛栋民;独莉;张昆;宿磊;陆向宁;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201310133768.1
- 申请时间2013年04月17日
- 申请公▽布号CN103258788B
- 申请公布时间2015年09月23日
- 分类号H01L21/768(2006.01)I;
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