摘要：本发明公开了一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺，包括步骤：（1）在单晶硅片上旋涂光刻胶并通过光学光刻或电子束光刻得到光刻胶图形；（2）镀上银膜或金膜；（3）在电场之中，采用HF、H2O2和去㊣离子水的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀；（4）去除光刻胶；（5）去除单晶硅片上残留的金属膜并进行清洗处理。本发明通过在刻蚀过程中控制电场强度，由此形成从数十纳米至数百微米尺度的各种微∩纳米尺度通孔结构。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人廖广兰;史铁林;孙博;盛文军;张康;汤自荣;夏奇;高阳;谭先华;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号
- 申请号CN201210445356.7
- 申请时间2012年11月09日
- 申请公布Ψ号CN102956548B
- 申请公布时间2015年12月09日
- 分类号H01L21/768(2006.01)I;
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