四季彩票

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                教育装备采购◥网首页 > 知识产权 > 专利 > CN104022075B
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种可控自形成Cu3Ge/TiN双层〓扩散阻挡层制备方法
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层制备方法。本发明先采用气相物理共溅射技术制备Cu（Ge，Ti）合金层，随后通过控温氮气（N2）氛退火等步骤，利用Cu（Ge，Ti）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性反应特性，在Si/Cu（Ge，Ti）/Cu界面可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层，其在高温（750℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体『的相互扩散。采用Cu（Ge，Ti）合金可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互︽连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人四川大学;
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                • 发明人刘波;张彦坡;林黎蔚;
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                • 地址610065 四川省成都市武侯区一环路南一段27号
                  • 
                        
                • 申请号CN201410254176.X
                  • 
                        
                • 申请时间2014年06月10日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN104022075B
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                • 申请公布时间2016年09月07日
                  • 
                        
                • 分类号H01L21/768(2006.01)I;
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